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뉴 메모리: MRAM – 차세대 자기저항 메모리 기술

현대 정보화 사회에서 반도체 메모리는 컴퓨터, 스마트폰, IoT 기기 등 다양한 전자기기의 핵심 요소입니다. DRAM과 NAND 플래시는 오랫동안 주요 메모리로 사용되었지만, 전력 소비 절감, 속도 향상, 내구성 증대 등의 요구가 증가하면서 새로운 차세대 메모리 기술이 주목받고 있습니다. 그중에서도 **MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory, 자기저항 램)**은 비휘발성, 고속 읽기/쓰기, 낮은 전력 소모 등의 장점을 갖춘 혁신적인 차세대 메모리 기술로 평가받고 있습니다. MRAM은 기존 메모리의 한계를 극복하며, 미래 반도체 산업의 핵심 기술로 자리 잡을 가능성이 큽니다. 이번 글에서는 MRAM의 원리, 장점, 기존 메모리와의 비교, 주요 응용 분야 및 시장 전망을..

디지털 2025.03.15

플래시 메모리의 원리와 역할 – 비휘발성 메모리의 미래

**플래시 메모리(Flash Memory)**는 비휘발성(Non-Volatile) 저장장치로, 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있는 반도체 메모리다.SSD, 스마트폰, USB 드라이브, SD 카드, 임베디드 시스템 등에서 사용되며, HDD보다 빠른 속도와 낮은 전력 소비를 제공한다. 현재 플래시 메모리는 3D NAND, QLC(Quad-Level Cell), 차세대 반도체 기술을 기반으로 계속 발전하고 있으며,AI, 빅데이터, 클라우드 컴퓨팅 등 새로운 산업에서 중요한 역할을 하고 있다. 본 글에서는 플래시 메모리의 최신 기술, 성능 개선, 미래 전망을 살펴본다.1️⃣ 플래시 메모리의 저장 방식 🏗️플래시 메모리는 **트랜지스터의 부동 게이트(Floating Gate)**에 전자를 저장하여 데이터를 ..

디지털 2025.03.09
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