디지털과 AI세상

반도체 메모리 산업에서 저전력, 고속, 비휘발성을 갖춘 차세대 메모리에 대한 관심이 커지고 있습니다. 기존 DRAM과 NAND 플래시는 전력 소비 문제, 속도 한계, 내구성 문제 등의 단점이 있습니다. 이러한 문제를 해결할 **차세대 메모리 기술 중 하나가 ReRAM(Resistive RAM, 저항 변화 메모리)**입니다. ReRAM은 낮은 전력 소비, 빠른 속도, 높은 내구성을 제공하는 비휘발성 메모리 기술로, 향후 IoT, AI, 데이터센터, 모바일 기기 등 다양한 분야에서 활용될 가능성이 높습니다. 이번 글에서는 ReRAM의 원리, 특징, 기존 메모리와의 비교, 주요 응용 분야 및 시장 전망을 자세히 살펴보겠습니다.1. ReRAM이란? – 저항 변화 메모리의 원리ReRAM(Resistive RAM)..

**플래시 메모리(Flash Memory)**는 비휘발성(Non-Volatile) 저장장치로, 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있는 반도체 메모리다.SSD, 스마트폰, USB 드라이브, SD 카드, 임베디드 시스템 등에서 사용되며, HDD보다 빠른 속도와 낮은 전력 소비를 제공한다. 현재 플래시 메모리는 3D NAND, QLC(Quad-Level Cell), 차세대 반도체 기술을 기반으로 계속 발전하고 있으며,AI, 빅데이터, 클라우드 컴퓨팅 등 새로운 산업에서 중요한 역할을 하고 있다. 본 글에서는 플래시 메모리의 최신 기술, 성능 개선, 미래 전망을 살펴본다.1️⃣ 플래시 메모리의 저장 방식 🏗️플래시 메모리는 **트랜지스터의 부동 게이트(Floating Gate)**에 전자를 저장하여 데이터를 ..